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图六、成交出炉基于MoTe2结构相变的忆阻行为（a）垂直TMD器件的示意图以及光学和SEM图像，其中Ti/Ni、Ti/Au和SiO2薄膜分别用作顶部电极、底部电极和隔离层。元月份（c）光学模拟STDP的两个BP突触器件的示意图。

兆瓦（c）通过CVD直接合成的金属过渡金属二卤化物（m-TMDs）和半导体TMD（s-TMDs）之间的范德华阵列。

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